三星电子于其2025年度可连续成长陈诉中公布，已经开发出基在LPDDR DRAM的办事器内存模块SOCAMM2。这一新技能的推出标记着三星于内存？槭谐〉慕徊嚼┐螅乇鹗怯贏I办事器内存范畴。只管因为英伟达GB300 "Blackwell Ultra"主板设计的变更，SOCAMM？榛姑挥薪朊骋谆锥危浣辞绷σ廊槐豢春茫兰平晌猇era Rubin平台的一部门，为Vera CPU提供更矫捷、易在维护的非板载内存选择。

SOCAMM内存？榈纳杓铺厣ǖヌ跷豢128bit，采用单面四颗：概碳叭潭菟靠椎奈锢聿季郑饫嘟舸盏男巫瓷杓剖蛊涓鲜视诎焓缕髦芯傩信堪沧凹袄淙。三星电子的这一举措不仅展示了其于内存技能上的立异能力，也为其于竞争激烈的市场中争夺了先机。

此外，三星电子还有于推进其1c纳米DRAM内存工艺的开发，已经得到出产预备核准，标记着其向量产转移的预备事情已经基本完成。这一新工艺的乐成将对于三星将来的营收体现孕育发生主要影响，特别是于高带宽内存（HBM）市场的竞争中。